专利详情

专利名称	一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器
申请号	CN201310030236.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103091870A	公开（授权）日	2013.05.08
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	尹伟红;韩勤;杨晓红
主分类号	G02F1/03(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/03(2006.01)I
专利有效期	一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器至一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，该电吸收调制器制作在衬底上，包括：形成于衬底上的下反射镜；形成于下反射镜上的介质缓冲层；形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜；形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜；以及形成于单层石墨烯薄膜上且环绕于上反射镜周边的金属正电极。本发明提供的这种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，光垂直入射到器件，通过给器件施加栅偏压可以调制石墨烯中费米能级的高低，从而控制石墨烯对光的吸收与否，进而达到光调制的目的。本发明可以有很大的尺寸与光谱调制范围的设计自由度，功耗小，插入损耗低，对光信号无偏振态要求，且易于硅基集成。