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高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法

  • 申请号:CN200910198809.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102060300A
  • 公开(公开)日:2011.05.18
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法
申请号 CN200910198809.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102060300A 公开(授权)日 2011.05.18
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 陈雨;陈航榕;施剑林;何前军;陈风
主分类号 C01B33/12(2006.01)I IPC主分类号 C01B33/12(2006.01)I
专利有效期 高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法 至高分散、高比表面积、大孔容SiO2空心球的合成方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及高分散、高比表面积、大孔容孔SiO2空心球的合成方法。首先通过溶胶-凝胶法加表面活性剂导向法合成出高度分散、粒径均一的实心核/介孔壳SiO2纳米球,再通过简单的碱性溶液中水热后处理方法除去SiO2纳米球中的实心核而保持外壳介孔层完整,得到介孔SiO2空心球。本发明制得的介孔SiO2空心球具有高度的分散性、高的比表面积、大的孔容、均一的孔径分布和可调的空腔大小。结果显示经过碱后处理的介孔SiO2空心球的比表面积高达320m2/g,孔容高达0.66cm3/g,在药物的传输、催化、微反应器、吸附、分离、色谱等领域具有广泛的应用前景。

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