氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法
- 申请号：CN03116372.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN1442511
- 公开(公开)日：2003.09.17
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法 | ||
| 申请号 | CN03116372.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN1442511 | 公开（授权）日 | 2003.09.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;王浙辉;王跃林 |
| 主分类号 | C23F1/40 | IPC主分类号 | C23F1/40;C23F1/02;C03C15/00;C30B33/08;B81C1/00;G02B5/08;G02B6/136 |
| 专利有效期 | 氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法 至氢氧化钾溶液对(100)硅上<100>晶向的凸角补偿方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上<100> 晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提 出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计 算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的 微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能 消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光 束效率。 | ||
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