后栅工艺中金属栅的制作方法
- 申请号：CN201010500383.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102437032A
- 公开(公开)日：2012.05.02
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 后栅工艺中金属栅的制作方法 | ||
| 申请号 | CN201010500383.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102437032A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 项金娟;王文武 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 后栅工艺中金属栅的制作方法 至后栅工艺中金属栅的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种利用后栅工艺形成金属栅的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有栅沟槽；在所述衬底表面进行至少一次金属层淀积-退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；去除所述栅沟槽之外的金属层。上述方法能够减少栅极的寄生电阻，并且提高晶体管的可靠性。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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