专利详情

专利名称	碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法
申请号	CN201010541026.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102074590A	公开（授权）日	2011.05.25
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;梁军;李德增;林天全
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法至碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极，依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层，其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备是依次包括导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层的制备，其特征在于在石墨烯中加入粘合剂制备石墨烯浆，然后由石墨烯浆制备成石墨烯层本发明的优点在于，制作方法所采用工艺可与现行CdTe电池工艺兼容，为解决低成本、高性能、大规模的CdTe电池提供一种新的途径。