专利详情

专利名称	一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
申请号	CN200410017747.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1564337	公开（授权）日	2005.01.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	夏吉林;宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00	IPC主分类号	H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00
专利有效期	一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法至一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为 10nm－50nm。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系化合物。可选择的有Pt，Ti，TiN等。其结构的改进的实现是采用溅射方法沉积底电极，在沉积一层电介质层，通过曝光刻蚀方法刻蚀小孔，依次沉积加热电极和过渡层，再在其上沉积电介质层，刻蚀较大孔，在孔中沉积硫系化合物，经化学机械抛光后再沉积上电极。经由结构上的改进并实施，由于过渡层材料电阻率高，发热效率就高，用较小的电流就可以达到所需温度。