专利详情

专利名称	一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法
申请号	CN200410030729.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1564260	公开（授权）日	2005.01.12
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	彭子龙;韩秀峰;赵素芬;王伟宁;詹文山
主分类号	G11C7/00	IPC主分类号	G11C7/00;G11C11/15
专利有效期	一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法至一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法，该MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元MFC的电流以及另一个垂直于磁性薄膜存储单元MFC并流经该单元的电流所产生的磁场的共同作用来完成。这种结构的优点在于，取消了现有技术中专门用于信息写入的一条字线，减少了金属布线层以及接触孔的数目，降低了MRAM结构的复杂性、制造工艺的难度及其成本。