专利详情

专利名称	一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法
申请号	CN200410018081.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1570673	公开（授权）日	2005.01.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;汪扬;林成鲁;封松林
主分类号	G02B1/10	IPC主分类号	G02B1/10;G02B5/20
专利有效期	一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法至一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长 SiO₂、 TiO₂薄膜，各5～10层，设计 SiO₂薄膜厚度10nm～96nm， TiO₂薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10^－6－ 10^－8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。