
热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用
- 申请号:CN200410069557.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所;北京中康达超微技术应用研究所
- 公开(公开)号:CN1576398
- 公开(公开)日:2005.02.09
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用 | ||
申请号 | CN200410069557.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN1576398 | 公开(授权)日 | 2005.02.09 |
申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所;北京中康达超微技术应用研究所 | 发明(设计)人 | 彭晓;周月波;王福会;姜涛;铁军 |
主分类号 | C25D15/00 | IPC主分类号 | C25D15/00 |
专利有效期 | 热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用 至热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开一种热生长 Al2O3膜型M-Al纳米复合镀层及制备方法和应用。其成分为沉 积的纳米晶金属M和弥散分布其中Al纳米颗粒的组合,其中 M为Ni、Fe或Co;Al的含量按质量百分数计,为9.8~35%, 余量为M。制备:以金属Ni、Fe或Co,碳钢或低合金钢为基 材,在基材上采用共电沉积技术复合电镀金属M和Al镀层, 制得Ni-Al、Fe-Al或Co-Al纳米复合镀层。本发明不仅工 艺简单、成熟,易于推广;从经济角度讲,生产和维修成本低。 与传统的用金属-微米级金属粉制备的复合镀层相比,还具有 1)复合量高且成分可控;2)镀层致密;3)纳米复合镀层不需要 通过真空扩散处理,镀层在高温下可直接热生长保护性的 Al2O3氧化膜等特点。 |
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