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热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用

  • 申请号:CN200410069557.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所;北京中康达超微技术应用研究所
  • 公开(公开)号:CN1576398
  • 公开(公开)日:2005.02.09
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用
申请号 CN200410069557.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN1576398 公开(授权)日 2005.02.09
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所;北京中康达超微技术应用研究所 发明(设计)人 彭晓;周月波;王福会;姜涛;铁军
主分类号 C25D15/00 IPC主分类号 C25D15/00
专利有效期 热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用 至热生长Al2O3膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种热生长 Al2O3膜型M-Al纳米复合镀层及制备方法和应用。其成分为沉 积的纳米晶金属M和弥散分布其中Al纳米颗粒的组合,其中 M为Ni、Fe或Co;Al的含量按质量百分数计,为9.8~35%, 余量为M。制备:以金属Ni、Fe或Co,碳钢或低合金钢为基 材,在基材上采用共电沉积技术复合电镀金属M和Al镀层, 制得Ni-Al、Fe-Al或Co-Al纳米复合镀层。本发明不仅工 艺简单、成熟,易于推广;从经济角度讲,生产和维修成本低。 与传统的用金属-微米级金属粉制备的复合镀层相比,还具有 1)复合量高且成分可控;2)镀层致密;3)纳米复合镀层不需要 通过真空扩散处理,镀层在高温下可直接热生长保护性的 Al2O3氧化膜等特点。

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