专利详情

专利名称	一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺
申请号	CN200410024777.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1585145	公开（授权）日	2005.02.23
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈立东;樊俊锋;柏胜强;史迅;黄向阳
主分类号	H01L35/20	IPC主分类号	H01L35/20;H01L35/14;H01L35/34;H01L35/00;H01L37/00
专利有效期	一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺至一种锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及锑化钴基热电材料的电极材料及其制备工艺，其特征在于所述的电极材料为金属钼，钼片的厚度为0.5－1.5mm。其制备特征在于锑化钴基热电材料的电极材料钼通过引入金属钛过渡层经过放电快速烧结两步法实现接合，锑化钴热电材料粉体的烧结和粉体与电极材料的接合同时进行。本发明提供了一种接合面无明显界面电阻跃迁，接合强度高，热稳定性好且工艺简单方便的Mo－Ti－ CoSb₃的接合技术。