专利详情

专利名称	一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法
申请号	CN200410025197.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1584634	公开（授权）日	2005.02.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新漫传感技术研究发展有限公司	发明（设计）人	李铁;王翊;王跃林;林心如;奚庆中
主分类号	G02B5/18	IPC主分类号	G02B5/18
专利有效期	一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法至一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于{100}晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对{100}晶面硅锭进行特定角度θ _c切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角θ_b和切割角度θ _c满足关系式：θ _b+θ _c＝54.7°。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面 {111}面来保证闪耀光栅的闪耀角，具有精度高、易集成、工艺简单、成本低廉、易于控制、成品率高、重复性好、易批量生产等优点，特别适合于量大面广、需要集成的场合使用。