专利详情

专利名称	一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料
申请号	CN200410025136.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1583665	公开（授权）日	2005.02.23
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	姚春华;董显林;林盛卫;瞿翠凤;金绮华;孙大志
主分类号	C04B35/46	IPC主分类号	C04B35/46;C04B35/462;C04B35/48;C04B35/491;C04B35/63
专利有效期	一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料至一种低电阻率的热释电陶瓷的制备方法及其材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种低电阻率锆钛酸铅热释电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：1)Zr/Ti比例控制在(80～93)∶ (20～7)范围内；2)烧结添加物为 Sb₂O_{3，MnCO₃和 Al₂O_{3，以PZT为基准，添加量分别为1－5wt％；本发明提供的制备方法可使锆钛酸铅热释电陶瓷材料的电阻率控制在1～ 4×10¹¹Ωcm范围内，同时保持材料原有的热释电性能不变，从而能够降低器件成本，提高器件集成度，有望应用于探测器和非致冷焦平面红外热像仪中。}}