专利详情

专利名称	纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
申请号	CN200410053566.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588106	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;夏吉林;陈宝明;张挺;封松林
主分类号	G01R31/26	IPC主分类号	G01R31/26;H01L21/66
专利有效期	纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法至纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm，间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。