专利详情

专利名称	改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
申请号	CN200410053350.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588624	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍
主分类号	H01L21/205	IPC主分类号	H01L21/205;C30B25/02;C30B29/38
专利有效期	改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法至改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种In改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在HVPE生长GaN的过程中采用了In辅助外延生长。它是通过在HVPE反应室中同时放置镓(Ga)舟和In舟来实现的。Ga舟和In舟放在相同的温区，或放在不同的温区，HCl气体流过Ga舟和In舟，通过对于产生的InCl和GaCl的量进行调节，满足生长的需要。GaN 结晶膜的生长温度为1000－1100℃，在此温度下不会形成 InGaN合金，其他条件与通常的HVPE生长GaN的条件相同。由于In的引入，Ga原子的表面迁移长度增加，而这对于生长速度很高的HVPE生长方式非常重要，可以使得生长的GaN 的表面的平整度得到改进，且降低GaN结晶膜中的缺陷位错密度。