专利详情

专利名称	可逆相变材料电性能的表征方法
申请号	CN200410053567.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588664	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;封松林
主分类号	H01L45/00	IPC主分类号	H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00
专利有效期	可逆相变材料电性能的表征方法至可逆相变材料电性能的表征方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及制备相变存储器(PRAM)所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与 W/SiO₂/Si衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域(纵向与横向尺度)大小与针尖面积、施加在针尖上的电能有关，针尖面积规定了存储器的器件尺度，相变材料非晶到多晶的转变可通过探针接口上的I－V测试系统来实现，一定的电压、电流范围，多次操作，相变区域可由小变大，直致最大饱和尺度。多晶向非晶的转变，可通过PRAM测试系统来实现，转变区域可通过电压脉冲信号脉高、脉宽来控制。该系统可实现对材料可逆相变操作，实现存储单元读、写、擦与疲劳特性的研究。