专利详情

专利名称	用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法
申请号	CN200410053175.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588620	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	何力;陈路;巫艳;于梅芳;王元樟;吴俊;乔怡敏
主分类号	H01L21/20	IPC主分类号	H01L21/20;H01L21/36
专利有效期	用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法至用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法，衬底包括：基片，在基片上依次置有缓冲层、数字合金层、过渡层。制备方法采用常规的分子束外延或原子外延方法及后处理技术。通过不同的生长工艺条件和特定的结构解决了在晶格失配衬底上外延的HgCdTe材料位错密度高的问题。同时通过调节数字合金层中的y组分使该合金层相对HgCdTe后继外延层为红外透明，可用作背照射结构的各种红外焦平面探测器的嵌入式前截止带通滤光片。本方法适合于在Si、Ge、GaAs以及宝石衬底上外延高质量HgCdTe 材料，可以满足背照射、正照射各种红外焦平面探测器结构的使用要求。