专利详情

专利名称	三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法
申请号	CN200410067218.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588642	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘卫丽;宋志棠;陈邦明;封松林
主分类号	H01L27/092	IPC主分类号	H01L27/092;H01L21/8238
专利有效期	三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法至三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上。其制作方法是在(100)面上形成nMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(110)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(110)面上制备 pMOS，连线形成高速的CMOS结构；也可以在(110)面上形成 pMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(100)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(100)面上制备nMOS。本发明提供的金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法，可以获得高迁移率、高集成度和低成本。