专利详情

专利名称	一种纳电子相变存储器的制备方法
申请号	CN200410053565.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1588637	公开（授权）日	2005.03.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;夏吉林;刘卫丽;刘波;封松林
主分类号	H01L21/82	IPC主分类号	H01L21/82;H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;B82B3/00
专利有效期	一种纳电子相变存储器的制备方法至一种纳电子相变存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO₂。通过曝光、刻蚀，在SiO₂上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。