专利详情

专利名称	利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法
申请号	CN201010146666.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102211770A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	苏发兵;高俊杰;翟世辉;许光文
主分类号	C01B33/021(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/021(2006.01)I
专利有效期	利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法至利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及多孔硅材料制备领域，具体地，本发明涉及利用硅与卤代烃反应进行多孔硅材料的制备方法。根据本发明的多孔硅材料的制备方法包括步骤：1)在固体催化剂的作用下，硅与气卤代烃加热反应，并控制硅不完全反应；2)分离未反应的硅，去除杂质后，即制备得到多孔硅材料。通过调节反应条件参数，可调控硅材料的孔径大小和分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料，且还可以得到重要的有机硅单体化学品，过程简单，可以实现多孔硅材料的清洁生产，具有广泛的应用前景。