
微波溶剂热法制备多层次α-Ni(OH)2或NiO纳米晶的方法
- 申请号:CN201010240623.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN101985367A
- 公开(公开)日:2011.03.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 微波溶剂热法制备多层次α-Ni(OH)2或NiO纳米晶的方法 | ||
申请号 | CN201010240623.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101985367A | 公开(授权)日 | 2011.03.16 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 高濂;任仰 |
主分类号 | C01G53/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G53/04(2006.01)I |
专利有效期 | 微波溶剂热法制备多层次α-Ni(OH)2或NiO纳米晶的方法 至微波溶剂热法制备多层次α-Ni(OH)2或NiO纳米晶的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种微波溶剂热法制备多层次α-Ni(OH)2或NiO纳米晶的方法。特征在于以采用任意镍盐(如Ni(NO3)2·6H2O,Ni(Ac)·4H2O,NiCl2·6H2O等)为单独原料,一种常温液态饱和一元醇为单独溶剂(如乙醇,异丙醇,正丙醇等),在150℃反应温度和15min反应时间,进行溶剂热反应得到尺寸均一的α-Ni(OH)2多层次纳米结构;经过煅烧工艺即可得到形状保留的多孔NiO多层次纳米晶。本发明还可适用于其他多层次过渡金属氢氧化物、氧化物纳米晶的制备。本发明克服了以往制备的多层次NiO纳米晶的方法往往需要额外的软硬模板或沉淀控制剂辅助的缺点。 |
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