专利详情

专利名称	一种测量半导体掺杂浓度的方法
申请号	CN200710120481.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101159243	公开（授权）日	2008.04.09
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	李斌成;刘显明
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I
专利有效期	一种测量半导体掺杂浓度的方法至一种测量半导体掺杂浓度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种测量半导体掺杂浓度的方法，其特征在于：在同一测试系统中集成了光载流子辐射测量技术和自由载流子吸收测量技术，同时获得自由载流子的复合辐射信号与吸收信号；通过改变激发光的调制频率，得到频域的载流子辐射信号和吸收信号；通过改变激发光与探测光之间的间距，得到空间域的载流子辐射信号和吸收信号；通过与定标样品的载流子辐射信号和吸收信号数据比较，得到被测样品的掺杂浓度。本发明基于光载流子辐射测量技术和自由载流子吸收技术，由于集成了两路独立信号各自在频域和空间域上的信息，大大提高了掺杂浓度的测量精度。