半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
- 申请号：CN200710170724.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN101169370
- 公开(公开)日：2008.04.30
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统 | ||
| 申请号 | CN200710170724.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101169370 | 公开（授权）日 | 2008.04.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 苏志国;许金通;张文静;胡其欣;袁永刚;李向阳;刘骥 |
| 主分类号 | G01N21/59(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/59(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统 至半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于 对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、 二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫 外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸 收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出 定量分析和评价。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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过户资料
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