专利详情

专利名称	InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片
申请号	CN200710047624.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101170144	公开（授权）日	2008.04.30
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	唐恒敬;吴小利;张可锋;汪洋;刘向阳;李永富;吴家荣;李雪;龚海梅
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I
专利有效期	InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片至InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在 p-InP/InGaAs/n-InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p-InP微台面。在p-InP 微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极区，在线列或面阵微台面边上有一刻蚀至n-InP层并置于n-InP层上的公共N电极区。除P、N电极区外，整个外延片上，包括侧面覆盖有氮化硅钝化层。在P电极区上置有与读出电路互连的电极互连区，该电极互连区覆盖部分微台面，并从微台面延伸至平面。本发明的优点是：保留的InGaAs层可使台面降低，InGaAs层的侧面得到有效保护。氮化硅钝化层可有效的起到抗反射和减小InP和InGaAs层表面态的作用，可以增加探测器的量子效率和减小暗电流。P电极采用AuZnPtAu，可与p-InP 形成很好的欧姆接触，并且Pt可以有效的阻止Zn的外扩散，提高器件可靠性。