专利详情

专利名称	一种微流体浓度梯度细胞培养芯片及其制备方法和应用
申请号	CN200710044320.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101165161	公开（授权）日	2008.04.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	赵辉;吴蕾;金庆辉;赵建龙
主分类号	C12M3/00(2006.01)I	IPC主分类号	C12M3/00(2006.01)I;C12M1/34(2006.01)I;B29D31/502(2006.01)I;B29K83/00(2006.01)N
专利有效期	一种微流体浓度梯度细胞培养芯片及其制备方法和应用至一种微流体浓度梯度细胞培养芯片及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种微流体浓度梯度细胞培养芯片，包括二个进样口、三层蜿蜒管道及形成五条线性浓度梯度分布的树状结构、五个细胞培养通道和一个出样口；所述的形成浓度梯度的树状结构直接与细胞培养通道相连接，细胞培养通道中存在“坝状凹槽”结构，二个进样口对称位于水平连接管道的上方。本发明的微流体浓度梯度细胞培养芯片的制备采用软刻蚀的方法，包括下列步骤：(1)以SU-8 2000光刻胶制备模具，聚二甲基硅氧烷注塑成型；(2)经氧等离子体处理后与玻璃基片键合制作完成微流体浓度梯度细胞培养芯片。本发明的细胞培养芯片可用于细胞药物筛选和细胞毒理实验。