专利详情

专利名称	一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法
申请号	CN200710046237.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101172185	公开（授权）日	2008.05.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙
主分类号	A61N1/05(2006.01)I	IPC主分类号	A61N1/05(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法至一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离 (Lift-off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。