专利详情

专利名称	GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法
申请号	CN200610114193.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101174661	公开（授权）日	2008.05.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈宇;王良臣;伊晓燕;郭金霞
主分类号	H01L33/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2006.01)I
专利有效期	GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法至GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N-GaN电极；去除光刻胶清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉SiO₂掩蔽层；电子束蒸发制备P-GaN半透明电极金属化体系NiAu；电极剥离后，在N₂∶O₂＝2∶1min 氛围合金温度500℃进行合金化处理5min，减小P -GaN半透明电极的金属化体系NiAu与P-GaN层之间的欧姆接触电阻，提高P-GaN半透明电极与P-GaN的接触强度和热稳定性；最后光刻出P-GaN加厚电极，完成P、N电极的制备。