专利详情

专利名称	基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201110082967.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102184980A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李奎龙;董建荣;陆书龙;赵勇明;杨辉
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法至基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池，该两个电池之间通过晶片键合的方式串联在一起。其制备方法为：采用MOCVD法等依次生长形成GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池，而后对GaInP/GaAs双结电池的键合面进行减薄、抛光和清洁处理后，与InGaAsP电池键合，其后分别制作上、下电极，形成目标产品。本发明可形成1.90eV、1.42eV、～1.00eV的带隙组合，降低材料的生长难度，实现对太阳光谱的充分利用，减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失，同时提高了1.00eV电池内量子效率，进而提高电池效率。