专利详情

专利名称	半导体激光器腔面温度的测量方法
申请号	CN200910081995.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101865729A	公开（授权）日	2010.10.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	饶岚;宋国峰;汪卫敏;陈良惠
主分类号	G01K5/48(2006.01)I	IPC主分类号	G01K5/48(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	半导体激光器腔面温度的测量方法至半导体激光器腔面温度的测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。