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一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法

  • 申请号:CN201110093312.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN102181283A
  • 公开(公开)日:2011.09.14
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法
申请号 CN201110093312.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102181283A 公开(授权)日 2011.09.14
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 刘瑞刚;王文;刘伟丽;黄勇
主分类号 C09K11/56(2006.01)I IPC主分类号 C09K11/56(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法 至一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法。本发明所提供的CdS/Cd(OH)2复合纳米线是按照下述方法制备得到的:将镉盐、单体、紫外光引发剂与(E-CE)C混合,将混合溶液制成溶液薄膜;在紫外光源下辐照,使溶液薄膜中的甲基丙烯酸聚合,得到(E-CE)C/PMA/CdMA2复合膜;再经H2S气氛处理后,使无机盐转化为CdS无机半导体纳米颗粒,经干燥烧结并部分氧化CdS纳米晶体后得到CdS/CdO纳米晶体;然后分散于去离子水中或去离子水/乙醇混合液中,并经超声波处理,使CdO与水发生反应转变为Cd(OH)2,同时形成CdS/Cd(OH)2复合纳米线。该方法得到的CdS/Cd(OH)2复合纳米线CdS纳米晶体含量可控;复合纳米线中的CdS纳米晶体中保持了良好的单分散性,从而赋予其显著的光致荧光量子效应;纳米线的长径比和尺寸可控。

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