专利详情

专利名称	具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用
申请号	CN201110059937.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102185102A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张培健;赵宏武;潘新宇;孟洋;刘紫玉;李栋;孟庆宇;杨丽丽;梁学锦;陈东敏
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用至具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种电阻存储器件，包括：底电极；底电极上的介质层；介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方法，包括：在底电极和顶电极上施加电压，以将该器件的阻态设置为低阻态或高阻态；在不会使该器件的阻值翻转的电压范围内选择某一电压，且该电压能使该介质层发光；通过透明的底电极或顶电极引出介质层所发出的光；利用介质层发出的光的波长分布识别该器件的阻态。本发明还提供了一种显示器件及其操作方法。