专利详情

专利名称	一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金
申请号	CN200710056176.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101177745	公开（授权）日	2008.05.14
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	吴耀明;王立民;董龙祥;谢军伟;王小林;王立东
主分类号	C22C1/03(2006.01)I	IPC主分类号	C22C1/03(2006.01)I;C22C21/08(2006.01)I;B22D21/04(2006.01)I
专利有效期	一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金至一种镁-硅中间体的合成方法及利用该中间体制备高镁铝合金	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及镁-硅中间体的合成方法及其使用该中间体制备高镁铝合金的方法，特别是涉及一种以天然珍珠岩矿石为硅源合成Mg-Si中间体的方法、并使用该中间体、采用原位合成的手段制备高镁铝合金的方法。该镁-硅中间体为一种低硅含量的特殊镁-硅中间合金，用该特殊Mg-Si中间合金和原位合成方法，解决需要同时加入镁和硅元素的铝合金制造过程中硅来源成本高、品种单一和Mg₂Si生成几率小等工业难题。