专利详情

专利名称	一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法
申请号	CN201210069412.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102633995A	公开（授权）日	2012.08.15
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	马昌期;陈周群
主分类号	C08G61/12(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/12(2006.01)I;C07D519/00(2006.01)I
专利有效期	一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法至一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法，它是通过两种不同的噻吩类衍生物单体按照一定的配比溶解在有机溶剂中，在无水无氧以及一定的温度条件下，经催化剂活化单体，引发聚合，待充分聚合后，将产物经过分离提纯，得到目标产物。本发明合成路线简洁，操作简单，经济有效，避免了环境不友好的有机金属中间体的合成，且制备的窄带隙聚噻吩衍生物可被广泛应用于如有机薄膜太阳能电池(OPVs)、有机薄膜场效应晶体管(OFETs)等光电器件之中。