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一种可控中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法

  • 申请号:CN201210087816.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院山西煤炭化学研究所
  • 公开(公开)号:CN102633265A
  • 公开(公开)日:2012.08.15
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种可控中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法
申请号 CN201210087816.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102633265A 公开(授权)日 2012.08.15
申请(专利权)人 中国科学院山西煤炭化学研究所 发明(设计)人 孙予罕;张明伟;房克功;林明桂;魏伟
主分类号 C01B33/12(2006.01)I IPC主分类号 C01B33/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种可控中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法 至一种可控中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种可控中空介孔二氧化硅纳米球的制备方法是将铁盐、乙酸和聚乙烯吡咯烷酮溶于乙醇中搅拌混合均匀,然后将溶液移入聚四氟乙烯反应釜中,加热反应,得到铁氧化物纳米粒子悬浮液;向铁氧化物纳米粒子悬浮液中加入乙醇、去离子水、十六烷基三甲基溴化铵、加入碱调节pH值在7-12,在搅拌的条件下缓慢加入正硅酸乙酯反应12-72小时,过滤干燥,经400-600℃焙烧后得到介孔二氧化硅包覆铁氧化物纳米核壳结构材料;将得到的介孔二氧化硅包覆铁氧化物核壳结构材料完全浸入配好的酸性刻蚀溶液中,溶掉作为硬模板的铁氧化物,用去离子水和乙醇洗涤,过滤干燥后得到中空介孔二氧化硅纳米球。本发明具有合成工艺简单、操作条件温和、原料便宜易得,易于放大合成的优点。

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