专利详情

专利名称	含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器
申请号	CN200610144306.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101192739	公开（授权）日	2008.06.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠
主分类号	H01S5/183(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/183(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I
专利有效期	含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器至含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR 层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N 型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR 层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。