专利详情

专利名称	光寻址电聚合装置及分子印迹电化学修饰方法和应用
申请号	CN200910243737.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102109482A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	夏善红;韩泾鸿;任振兴;边超;薛西男
主分类号	G01N27/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/26(2006.01)I
专利有效期	光寻址电聚合装置及分子印迹电化学修饰方法和应用至光寻址电聚合装置及分子印迹电化学修饰方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种光寻址电聚合装置，由测量池、阵列芯片、电化学工作站、LED阵列光源、LED阵列光源控制器、锁相放大器、参比电极和对比电极组成，将具有MOS阵列结构光寻址阵列芯片被安装到光寻址的电聚合的装置中，通过被高频调制的红外LED，选择性地激励敏感单元，使芯片的MOS电容阵列被选通。在外电路的电化学工作站电源的驱动下，与参比电极构成光寻址、选择性的循环伏安的电化学回路，从而可以实现光寻址的电聚合。光寻址的电聚合与分子印迹技术相结合，将构成光寻址分子印迹电化学修饰方法。本发明为解决阵列芯片的敏感薄膜电化学修饰提供了一种有效的方法，使光寻址传感器能更好地发挥具有多参数，检测仪器简便的优势。