专利详情

专利名称	半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
申请号	CN200710173709.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101197260	公开（授权）日	2008.06.11
申请（专利权）人	上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用至半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种半导体衬底，包含了位于顶层的覆盖层和位于覆盖层下方的孔洞层，以及位于孔洞层下方的支撑层。采用离子注入和阳极氧化两种方法来制备这种特殊结构的半导体衬底。同时还公开了采用这种半导体衬底来制作广义键合减薄绝缘体上的硅材料的方法；以及将该半导体衬底用于材料外延作为外延衬底的方法。与现有技术相比，本发明的优在于该半导体衬底中的孔洞层能够帮助释放层间应力，获得完美的单晶材料。