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一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池

  • 申请号:CN200710304230.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN101197399
  • 公开(公开)日:2008.06.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池
申请号 CN200710304230.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101197399 公开(授权)日 2008.06.11
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 赵雷;王文静;刁宏伟
主分类号 H01L31/072(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/072(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I
专利有效期 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 至一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池,包括p型硅衬底(1),在p型硅衬底(1)背光面上的 n型掺杂薄膜硅层(2),在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3),以及在p型硅衬底(1)迎 光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一 种本征薄膜硅层(5);亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄 膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7);在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。

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