一种电容器超薄膜的制备方法
- 申请号：CN201210376839.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号：CN102930982A
- 公开(公开)日：2013.02.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种电容器超薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210376839.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102930982A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘帅;王丽华;吴杰;刘必前 |
| 主分类号 | H01G4/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/14(2006.01)I;H01G9/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种电容器超薄膜的制备方法 至一种电容器超薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种电容器超薄膜的制备方法，其特征在于，使用甲苯等溶剂将含有聚苯乙烯嵌段的嵌段共聚物溶解；使用旋涂法在平滑的电极表面旋涂成膜。薄膜表面平整致密，膜内部结构规整，膜厚度均一无缺陷。厚度为10～500纳米。本制膜方法能够得到纳米级厚度的聚合物薄膜，克服现有薄膜电容器薄膜厚度较大的缺点，具有制备过程简单，薄膜厚度纳米级，易于工业放大，高精度高稳定等优点。 | ||
交易流程
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