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一种具有相分离结构的二氧化钛薄膜的制备方法

  • 申请号:CN200610169557.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所
  • 公开(公开)号:CN101205119
  • 公开(公开)日:2008.06.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种具有相分离结构的二氧化钛薄膜的制备方法
申请号 CN200610169557.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101205119 公开(授权)日 2008.06.25
申请(专利权)人 中国科学院过程工程研究所 发明(设计)人 王丹;姚建曦
主分类号 C03C17/23(2006.01)I IPC主分类号 C03C17/23(2006.01)I
专利有效期 一种具有相分离结构的二氧化钛薄膜的制备方法 至一种具有相分离结构的二氧化钛薄膜的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种具有相分离结构的二氧化钛薄膜的制备方法,其为利用光聚合诱 导相分离的方法,在镀膜的溶胶中加入易于聚合的高分子单体,对浸渍提拉后制备的 薄膜进行紫外光照来引发反应单体聚合,导致薄膜表面相分离结构的形成,最后通过 热处理制备锐钛矿型二氧化钛薄膜。采用该方法,可以得到了二维的旋节相分离结构 和多孔结构的锐钛矿晶型的二氧化钛薄膜,该薄膜不存在颗粒的晶界,且呈现了非常 好的光催化性能。本发明的制备方法避免了以往方法中存在的缺点,其通过改变单体 种类、光照时间、光源种类等反应条件,能够非常简单的实现对薄膜的表面形貌和微 区尺寸进行调控。本方法工艺流程简单、可控性强、薄膜结构可重复率高。

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