专利详情

专利名称	高精度集成电路器件测试设备
申请号	CN201110203000.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102890231A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;梁擎擎;钟汇才
主分类号	G01R31/28(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/28(2006.01)I;G01R27/26(2006.01)I;G01R27/08(2006.01)I
专利有效期	高精度集成电路器件测试设备至高精度集成电路器件测试设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种高精度集成电路器件在片电容测试设备，包括倍频器、高频信号源、电桥自动平衡模块、混频器和电压矢量检测模块，倍频器将基频信号倍增至高频，高频信号源将测试信号输送至待测器件，输出的测试结果信号先经过电桥自动平衡模块输送至混频器以降低至基频，然后通过电压矢量检测模块输出最终的测试结果，其特征在于：高频信号源通过倍频器产生两种不同频率(超高频段(2至200MHz)与射频频段(＞1GHz))的高频测试信号用于被测电容的等效阻抗测试。依照本发明的高精度集成电路器件在片电容测试仪器，可以精确测定纳米集成电路器件的等效阻抗与在片电容，仪器构造简单，射频测试可抑制电容漏电影响，双频测试减少寄生参数影响；无需复杂的测试仪器比如网络分析仪以及特殊的测试结构。