专利详情

专利名称	二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法
申请号	CN201110204625.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102888645A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	高旭东;费广涛;欧阳浩淼;郭霄
主分类号	C25D11/26(2006.01)I	IPC主分类号	C25D11/26(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法至二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法。它先将氟化铵、水和乙二醇混合得到电解液，再使用钛片为阳极、石墨为阴极的二电极体系对电解液进行氧化处理，得到电解液1和电解液2，接着，先将钛片依次置于电解液1、电解液2和电解液中氧化，得到氧化钛片，再将氧化钛片置于氢氟酸溶液中腐蚀，并于其旁通以空气吹动氢氟酸溶液，得到从氧化钛片上剥离的氧化钛薄膜，之后，先将氧化钛薄膜依次分别置于不同浓度的氢氟酸溶液中腐蚀，再逐渐将氢氟酸溶液的浓度稀释至0.004～0.006wt％，制得厚度为10～50nm的二氧化钛纳米孔阵列薄膜。制备方法制得的目标产物既可作为掩膜用来制备量子点，又可作为微栅应用于透射电镜的样品支撑，更是一种很好的滤菌膜材料。