专利详情

专利名称	二极管及其制作方法
申请号	CN201110212747.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102903736A	公开（授权）日	2013.01.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吕荫学;罗家俊
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期	二极管及其制作方法至二极管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区，栅介质层位于第二电极区和体引出区之间，以隔离第二电极区和体引出区。本发明采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区，同样起到了隔离多个器件的作用，由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度，使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。