专利详情

专利名称	一种三维真空传感器及其制备方法
申请号	CN201210473419.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102923644A	公开（授权）日	2013.02.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	熊斌;孙晓;徐德辉;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;G01L21/10(2006.01)I
专利有效期	一种三维真空传感器及其制备方法至一种三维真空传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的上面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，通过对腐蚀开口和刻蚀时间的控制，可以获得较小的微加热器到衬底的垂直距离，有利于提高热传导真空计的压强测量上限，同时避免了结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，增强了气体的热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。