专利详情

专利名称	一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法
申请号	CN201010196480.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101863452A	公开（授权）日	2010.10.20
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	郑新和;唐龙娟;杨辉
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/00(2006.01)I
专利有效期	一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法至一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。