专利详情

专利名称	一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法
申请号	CN201010189312.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101866874A	公开（授权）日	2010.10.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司	发明（设计）人	张苗;薛忠营;张波;魏星
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法至一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Siepi/Si1-xGex结构的多层材料，其中0＜x＜1，Siepi为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex薄膜的厚度，使其小于临界厚度，以保证这层薄膜是完全应变的。然后使用层转移的方法将Siepi/Si1-xGex转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的多层材料。通过退火，使得材料中的Si1-xGex发生弛豫，弛豫过程中产生的位错主要分布在Siepi中，使得Si1-xGex保持了较高的晶格质量，然后通过外延的方法在Si1-xGex上继续外延一层Si薄膜，该薄膜将保持应变，最终得到Si/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si的SGOI材料。