专利详情

专利名称	可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法
申请号	CN201010166065.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101866882A	公开（授权）日	2010.10.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李宜瑾;宋志棠;凌云;张超
主分类号	H01L21/82(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法至可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位线方向隔离沟槽，将本征半导体分割形成多个选通二极管，并且刻蚀的位线方向隔离沟槽深入到重掺杂的N型半导体字线以内，在所述的沟槽内形成绝缘介质层；设置多个相变存储单元分别位于P型半导体的上方，并且分别与多个位线相连。本发明还揭露了一种可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器，完全与CMOS工艺兼容，具有简单易操作，易实现的特点，用于高密度相变存储器，可降低成本，提高存储单元的可靠性。