专利详情

专利名称	外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜
申请号	CN200910082471.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101867012A	公开（授权）日	2010.10.20
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曹立新;李位勇;韩烨;张帅;许波;赵柏儒
主分类号	H01L39/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/24(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L39/02(2006.01)I
专利有效期	外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜至外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在基片台上，将所述基片台放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光沉积方法生长薄膜。本发明还提供根据上述方法制备的单α-相、c-取向外延铁基超导薄膜。