专利详情

专利名称	一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器
申请号	CN200610165116.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101202532	公开（授权）日	2008.06.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周盛华;吴南健
主分类号	H03B29/00(2006.01)I	IPC主分类号	H03B29/00(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I;H03K3/84(2006.01)I
专利有效期	一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器至一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信号放大输出。利用本发明，采用广泛使用的CMOS工艺制作，大大降低了噪声发生器的功耗，很好地解决了即使是几μW的功耗都会缩短无源标签工作距离的问题。