专利详情

专利名称	一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置
申请号	CN201010109099.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101760785A	公开（授权）日	2010.06.30
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	张国春;赵三根;傅佩珍;吴以成
主分类号	C30B35/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B35/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置至一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置，其包括：扣装于坩埚上端的带第一中心通孔的铂金反射罩和覆于所述铂金反射罩上表面上的带第二中心通孔的耐火保温罩；第一中心通孔直径为坩埚内直径的1/9-5/9；第二中心通孔直径大于第一中心通孔直径2-5mm；耐火保温罩(3)的上表面为平面；其效果在于：本装置的铂金反射罩既可起到反射屏作用，可有效调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度，同时还可起到降低组分挥发的作用，生长出的晶体无散射颗粒、包裹体和生长条纹等缺陷，晶体利用率大幅度提高。本发明的装置适合于BBO、CBO、KTP等多种功能晶体的生长，特别是CBO晶体的生长。