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一种含氢纳米结构CNx梯度薄膜的制备方法

  • 申请号:CN200810189943.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN101768722A
  • 公开(公开)日:2010.07.07
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种含氢纳米结构CNx梯度薄膜的制备方法
申请号 CN200810189943.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101768722A 公开(授权)日 2010.07.07
申请(专利权)人 中国科学院兰州化学物理研究所 发明(设计)人 张俊彦;张斌
主分类号 C23C14/34(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期 一种含氢纳米结构CNx梯度薄膜的制备方法 至一种含氢纳米结构CNx梯度薄膜的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种在不锈钢基底上直接沉积含氢纳米结构CNx梯度薄膜的制备方法。该方法利用中频磁控溅射物理气相沉积技术,以不锈钢为基底材料,采用高纯氮气、氩气和甲烷为反应溅射气体,分别镍靶和钛靶的方法制备了四元含氢纳米结构CNx梯度薄膜。

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